GaSb衬底上InAsSb材料的电学性能研究

摘要：

采用分子束外延(MBE)法在GaSb衬底上生长了不同组分的InAsSb外延膜.通过引入A1GaSb插层,实现对导电GaSb衬底上InAsSb材料电学性质的定性表征,并研究了生长温度和晶格失配对InAsSb外延层电学性能的影响.测试结果表明,在较低生长温度下获得的样品表面会形成缺陷,且其电学性能较差.对于一定晶格失配的样品,提高生长温度能获得较好的电学性能.

关键词：InAsSb、电学性能、分子束外延

分类号：TN213(光电子技术、激光技术)

资助基金：航空科学基金;中国博士后科学基金;总装共用技术基金项目

在线出版日期：2016-08-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：59-61