中波 InAs／GaSb 超晶格红外焦平面探测器

摘要：

由分子束外延生长的GaSb基的InAs／GaSb超晶格材料具有良好的均匀性，其在制作红外焦平面探测器方面有独特的优势。分别采用生长中断和表面迁移率增强的分子束外延法在GaSb衬底上生长了中波段InAs／GaSb超晶格红外探测器材料，对比表明对于中波超晶格材料，生长中断法优于表面迁移率增强法。利用标准工艺制作了中波红外PIN单元探测器，并制备了320×256的焦平面探测器芯片。

关键词：InAs/GaSb超晶格、红外焦平面探测器、分子束外延

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：航空科学基金;国家自然科学基金

在线出版日期：2015-04-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：49-51