长波段 InAs/GaSb 超晶格材料的分子束外延研究

摘要：

InAs/GaSb II类超晶格作为红外探测材料具有优越的光电性能,其量子效率高,暗电流小,微带带隙可调,是第三代红外焦平面探测器的最优选材料.本文对长波段超晶格材料分子束外延技术进行了优化,设计了“两步法”界面控制技术,制备了高质量的77 K光致发光(PL)、发光波长为8.54μm的长波段超晶格材料.研究了表面迁移率增强法外延长波段超晶格的缺陷形成机制和应变平衡机制,发现InSb界面在低温生长及过量淀积的情况下存在二维生长的特性.在上述方法基础上外延长波段超晶格红外探测器材料,利用标准工艺技术成功制备长波段PIN型红外探测器,其50%截止波长为8.72μm,峰值探测率达到了8.1×1010 cm ? Hz 1/2/W.

关键词：InAs/GaSb超晶格、红外探测器、分子束外延、界面、应变

分类号：TN304(半导体技术)

在线出版日期：2013-06-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：33-37