光照对阳极化InSb探测器性能影响的研究

摘要：

使用阳极化钝化方法制造的InSb红外探测器,在可见光照射下,器件反偏漏电流大,零偏阻抗低.通过对其漏电流分析和制作MIS器件进行试验,发现阳极化层中的陷阱能级感应n型InSb表面产生反型,p/n结表面附近的反型层与P型层连接后起到分流电阻作用,导致器件电性能变差.

关键词：InSb、探测器、钝化、阳极化、陷阱能级

分类号：TJ760.5(火箭、导弹)

在线出版日期：2008-12-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：62-64