p型GaN材料上的欧姆接触

摘要：

实现欧姆接触是获得高性能GaN探测器的基本要求之一.p型GaN上优良的欧姆接触比n型GaN上的难于实现.本文介绍了利用金属 Au、Cr/Au在p型GaN材料上做了接触性能研究,通过退火等实验获得了较理想的欧姆接触,测试后计算出Au、Cr/Au与 p型GaN材料间的接触电阻率分别为7.88×10-2 Ω·cm2 和1.94×10-2 Ω·cm2.

关键词：GaN、欧姆接触、接触电阻率

分类号：TJ760.4;TN215(火箭、导弹)

在线出版日期：2006-12-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：52-53,56