10.3969/j.issn.1673-5048.2006.01.010
n+-p-HgCdTe光伏探测器的化学硫化
首次采用Na2S·9H2O在n+-p-HgCdTe表面进行化学硫化, 然后溅射ZnS于化学硫化层上的钝化方法. I-V特性曲线显示, 经过化学硫化的n+-p-HgCdTe器件的漏电流有所下降. 分析表明, 化学硫化由于抑制了表面氧化而降低了表面态密度, 避免了相应漏电流的形成.
n+-p-HgCdTe、光伏探测器、化学硫化、I-V特性
TJ760.5(火箭、导弹)
2006-04-20(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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