热退火对MSM Al0.3Ga0.7N紫外探测器暗电流的影响

摘要：

在以MOCVD生长的未掺杂的n-Al0.3Ga0.7N上用Au制成了MSM结构的紫外光伏二极管.在N2氛围下以不同温度对器件进行了退火实验,退火时间为10 min. 室温I-V曲线表明,500 ℃退火能有效地减小器件的暗电流, 但是暗电流随反偏电压的增加上升很快, 700 ℃退火后器件的紫外光响应的光电流随反偏电压的增加也上升很快, 这是镜象力和隧道效应影响使势垒高度ΦB随反偏电压的增加而略微下降造成.适当的退火温度能减少器件暗电流是因为降低了Al0.3Ga0.7N表面和体内的陷阱和位错密度.

关键词：MSM、退火、肖特基接触、I-V特性

分类号：TJ760.5(火箭、导弹)

在线出版日期：2006-04-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：32-34