增强混成式焦平面器件互连芯片可靠性的几点措施

摘要：

主要讨论了互连及后继工序对互连芯片的要求,以及提高互连芯片可靠性的几点措施,如重熔原理与方法、互连参数选择、聚胺树脂填充等.文中所采用的红外器件为InSb面阵芯片,CMOS读出电路制作在Si材料上.

关键词：铟柱、重熔、互连、焦平面阵列、可靠性

分类号：TN215;TN402;TN304.26

在线出版日期：2004-10-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：13-14