基于双端口RAM的MOS电阻阵控制器的设计

摘要：

提出一种满足每秒100 Hz帧频的MOS电阻阵控制器的设计.它采用双端口RAM存储器,并用双倍存储器作为数据缓冲区,使得成像计算机和数据处理电路可同时对数据缓冲区进行交替工作,保证了MOS电阻阵每秒100帧的刷新速率.

关键词：MOS电阻阵、双端口RAM、红外热图像、帧频

分类号：TP302.1;TN27;TN79

在线出版日期：2004-10-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：9-12