10.3969/j.issn.1673-5048.2001.03.003
基于双端口RAM的MOS电阻阵控制器的设计
提出一种满足每秒100 Hz帧频的MOS电阻阵控制器的设计.它采用双端口RAM存储器,并用双倍存储器作为数据缓冲区,使得成像计算机和数据处理电路可同时对数据缓冲区进行交替工作,保证了MOS电阻阵每秒100帧的刷新速率.
MOS电阻阵、双端口RAM、红外热图像、帧频
TP302.1;TN27;TN79
2004-10-09(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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