SnAgCu-xTi在单晶硅表面的润湿行为
采用改良座滴法在高真空条件下研究了熔融Sn0.3Ag0.7Cu(SAC)-xTi(x为质量分数,％)在800～900℃ 与单晶硅表面的润湿行为.结果表明,SAC-xTi/Si体系属于惰性润湿体系,钛的添加显著改善了润湿性.在不添加钛时,SAC钎料在800℃ 与单晶硅润湿1800 s后达到平衡,平衡接触角为63°;SAC-1Ti钎料在900℃ 润湿1800 s后获得最小平衡接触角41°;SAC-3Ti钎料在900℃ 时达到平衡润湿的时间最短,仅为50 s,平衡接触角为48°.润湿机制为钛加速了单晶硅表面氧化膜的去除.在熔融钎料的铺展过程中,通过溶解-再析出机制和微掩膜机制,在固/液界面处形成了温度依赖的"金字塔"结构,温度越高,"金字塔"结构越稀疏且形貌越大."金字塔"结构的出现并未改善体系的润湿性,由于其对三相线的钉扎作用,进而使得体系的润湿性变差.
润湿性、表面绒化、惰性界面、连接
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TG454(焊接、金属切割及金属粘接)
国家自然科学基金资助项目;兰州工业学院青年科技创新项目;兰州工业学院开物创新团队项目
2020-08-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共7页
90-96
