X 波段 GaAs 功率芯片共晶焊热应力分析
随着电子封装集成度的不断提高，电子芯片的功率容量和发热量也越来越大，封装体内部温度分布不均以及产生的热应力影响芯片的可靠性。热沉作为电子设备主要的散热方式之一，被广泛使用。利用ANSYS有限元软件针对芯片-共晶层-热沉结构进行建模，通过有限元3 D模型模拟该封装结构在热循环温度-55～125℃条件下产生的热应力情况，研究了采用不同热沉材料共晶焊的应力。结果表明，该结构封装的最大应力出现在热沉下表面的4个拐角处。钨铜为热沉结构时应力值最大，AlSi50次之，AlN最小。研究结果对X波段功率模块封装设计提供了设计依据。
电子芯片、热应力、可靠性、热循环
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TG421(焊接、金属切割及金属粘接)
2017-03-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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