置氢TC4钛合金与C/SiC复合材料钎焊接头界面组织和结构
采用AgCu箔片对不同置氢含量的TC4钛合金与C/SiC复合材料进行了钎焊连接.借助SEM,EDS,XRD等分析手段对接头的微观组织、界面结构进行研究,并分析了钎焊工艺参数的影响.结果表明,钎焊温度810℃,保温时间10 min时,置氢含量0.3%的接头界面结构为置氢钛合金/针状韦德曼组织/Ti（s.s）＋Ti2Cu过共析组织/Ti2Cu＋TiCu＋Ti3Cu4扩散带/Ag（s.s）＋Cu（s.s）/Ti2Cu＋Ti5Si3/TiC/复合材料.不同氢含量下接头的界面产物基本相同,但接头反应层总厚度随置氢含量的增加而增大.随着钎焊温度升高或时间延长,复合材料侧Ti5Si3等化合物逐渐增多,TiC反应层变得连续且厚度增加.
置氢钛合金、复合材料、真空钎焊、界面结构
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TG454(焊接、金属切割及金属粘接)
2012-04-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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