点阴极电场辅助阳极连接的等效电路法

摘要：

电场辅助阳极连接技术已成为微电子器件领域最常用的连接方法之一，但目前对这一技术的物理和化学机制还不十分清楚，有关的研究文章也较少，深入理解电场辅助阳极连接过程的机制将有助地完善该技术。为此，本文用等效电路的方法研究了点阴极情况下的电场辅助阳极连接效应,计算了连接电流、连接孕育期和紧密接触面积。计入了电场辅助连接中玻璃厚度的影响,改进了Anthony的结果,并得出孕育期表达式。本文结果表明,连接初期电流迅速衰减,随后缓慢变小,直至某一稳定值;电场辅助阳极连接过程初始一般都存在一个孕育期,孕育期随温度上升指数下降,连接温度高时,孕育期将难以观察到;待连接表面之间紧密接触是实现电场辅助阳极连接的关键,紧密接触面积随时间延长而非线性扩展,紧密接触区域增大时,其边界向外推进速度愈来愈小,而接触面积增加渐快,最终达到待连接表面间百分之百接触。

关键词：硼硅玻璃、点阴极、等效电路、电流、紧密接触面积、孕育期

所属期刊栏目：23

分类号：TG456(焊接、金属切割及金属粘接)

资助基金：国防预研基金99J43.3.13

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：37-40