10.3321/j.issn:0253-360X.2001.03.007
用中间层为非活性金属FeNi/Cu的Si3N4陶瓷与Ni的扩散连接
采用非活性金属中间层FeNi/Cu在高、低真空条件下进行了Si3N4陶瓷与Ni的扩散连接,然后对部分接头进行了热等静压(HIP)后处理,测定了连接接头的四点弯曲强度,用扫描电镜(SEM)、电子探针(EPMA)和X射线衍射仪(XRD)对连接界面区域进行了分析.结果表明,采用非活性金属中间层扩散连接Si3N4陶瓷与Ni,在高真空和低真空条件下均能获得高强度连接,连接界面处没有形成Ni-Si化合物反应层,连接时间对接头强度的影响不明显.上述特征与用活性金属中间层连接时的情况截然不同.本文的连接方法有着重要的工程应用前景.
陶瓷-金属连接、扩散连接、中间层、界面反应、连接强度、热等静压
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TG406(焊接、金属切割及金属粘接)
国家重点实验室基金
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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