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10.3969/j.issn.1672-9374.2017.06.013

C/SiC复合材料在1700℃下氧化机制研究

引用
以沉积SiC涂层的C/SiC复合材料为研究对象,利用扫描电镜对复合材料表面进行观察分析,研究了复合材料在1700℃下空氧环境中显微结构和成分演变.结果表明在1700℃下,复合材料的氧化过程主要受到氧气在氧化膜中的扩散控制.C相在氧化过程中以气体的形式消耗殆尽,SiC相氧化形成氧化膜,覆盖在试样表面.由于SiC相氧化过程中伴随气体副产物的释放,在氧化膜中形成大量裂纹.这些裂纹的存在进一步加剧了复合材料的氧化损伤.

C/SiC复合材料、高温氧化、扩散控制、氧化膜

43

V250-34(航空用材料)

2018-01-23(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共6页

82-87

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61-1436/V

43

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