碳化硅结势垒肖特基二极管质子辐照损伤研究

摘要：

碳化硅功率器件凭借优异性能被抗辐照应用领域寄予厚望.为探究碳化硅功率器件抗中能质子辐照损伤能力,明确其辐射效应退化机制,对标低地球轨道累积十年等效质子位移损伤注量,针对高性能国产碳化硅结势垒肖特基二极管开展了10 MeV质子室温、无偏压辐照实验.测试了器件辐照前后的正向伏安特性、反向伏安特性、电容特性等电学特性,并通过深能级瞬态谱仪分析了辐照缺陷引入特点.结果显示:器件辐照后正向电性能稳定,较低反向安全电压下漏电流减小,注量增加后击穿电压严重退化;分析认为质子辐照导致势垒高度增加、辐照缺陷增加、载流子浓度降低.碳化硅肖特基功率器件的辐射损伤过程及机理研究,为其中能质子环境应用的评估验证提供了数据支撑.

关键词：碳化硅结势垒肖特基二极管、中能质子、辐射效应、电学性能、深能级缺陷

所属期刊栏目：46

分类号：TL99

资助基金：中核集团青年英才科研项目No.11FY212306000801

在线出版日期：2023-03-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

页码：42-50