忆阻器辐照效应研究现状及发展趋势

摘要：

记忆电阻器(简称忆阻器)作为新型非易失性存储器和人工神经突触器件的有力候选者,在航空航天、火星探测等空间科学与应用领域有着巨大的发展前景.忆阻器的大规模应用,对于其抗辐照性能有异常严苛的要求.为了提高忆阻器的抗辐照能力,需要探究其辐照效应机理,发展一套有效的抗辐照工艺技术.本文在深入调研国内外研究现状的基础上,综述了忆阻器辐照效应的研究现状和趋势,重点针对过渡金属氧化物材料体系的忆阻器辐照效应,提出了现在亟须研究的科学问题和关键技术,从而为忆阻器抗辐照加固与空间应用提供一定的思路.

关键词：忆阻器、辐照效应、位移损伤、电离损伤、抗辐照加固

所属期刊栏目：45

分类号：TL99

资助基金：国家自然科学基金;四川省自然科学基金

在线出版日期：2022-11-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共12页

页码：1-12