非易失性阻变存储器总剂量效应试验研究

摘要：

存储器作为航天器电子系统不可或缺的一部分,在航天应用中需要有良好的抗辐射能力.阻变存储器(Resistive Random Access Memory,RRAM)是一种新型的非易失性半导体存储器,性能优良,但对其辐射效应的研究较少.本文侧重于在理论分析的基础上,结合60Coγ射线辐照试验得到的结果对RRAM的总剂量效应失效机理进行分析研究.首先,通过对RRAM中单个MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)管总剂量效应的分析,提出器件失效机理的两个假设,然后对写入不同初始数据的器件进行有针对性的辐照试验,对不同累积剂量时存储器的数据读取功能和静态工作电流进行测量,统计得到的结果验证了假设的正确性.研究结果表明:RRAM辐照敏感单元为存储阵列,RRAM读取功能失效是由于MOS管在辐照下产生漏电流,导致读电路的电平输出状态改变而引起的.

关键词：阻变存储器、总剂量效应、理论分析、辐照试验、失效机理

所属期刊栏目：43

分类号：TL99

资助基金：空间环境材料行为及评价技术国防科技重点实验室资助

在线出版日期：2020-12-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：65-71