VDMOS电离辐射效应快速评估方法

摘要：

高压垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管(Vertical Double-diffused MOSFET,VDMOS)是空间广泛应用的半导体器件,由于空间环境存在电离辐射,需要开展其抗辐射能力的评估.通常采用国军标规定的常温辐照至考核剂量,再追加50％辐照剂量和168 h的高温退火评估方法,实验周期较长.为缩短实验周期,开展了VDMOS电离辐射效应快速评估方法研究,通过国军标实验方法与高温100°C辐照结果对比发现,在较大的剂量范围内,高温辐照可以缩短测试评估时间,并较好地评估高压VDMOS器件的抗辐射能力.通过典型数字电路在高温100°C下辐照与国军标方法对比,证明了高温辐照方法具有国军标方法的等效性,且可以节省168 h的退火时间,极大的缩短了评估周期.本方法可用于高压VDMOS器件的抗电离辐射能力的快速评估.

关键词：高压VDMOS、电离辐射效应、评估方法、高温辐照

所属期刊栏目：43

分类号：TL99

在线出版日期：2020-05-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：49-53