CMOS图像传感器单粒子效应及加固技术研究进展

摘要：

互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)图像传感器(CMOS Image Sensor,CIS)在空间应用时会受到单个粒子辐照影响,这通常会导致CIS采集图像出现异常,严重时会导致器件功能失效.本文从不同粒子的角度:重离子、质子、电子和中子,从CIS容易发生的单粒子效应类型:单粒子瞬态(Single Event Transient,SET)、单粒子翻转(Single Event Upset,SEU)、单粒子闩锁(Single Event Latchup,SEL)、单粒子功能中断(Single Event Functional Interrupt,SEFI)等方面综述了CIS单粒子效应研究进展.简要介绍了CIS单粒子效应加固技术研究进展.分析总结了目前CIS单粒子效应及加固技术中亟待解决的问题,为今后深入开展相关研究提供理论参考.

关键词：CMOS图像传感器、单粒子效应、抗辐射加固技术、空间辐射

所属期刊栏目：43

分类号：TN386(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;国防基础科研计划;中国科学院西部之光人才培养引进计划

在线出版日期：2020-06-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

页码：48-56