电制冷高纯锗探测器宽能区效率刻度

摘要：

介绍电制冷高纯锗探测器在宽能区探测效率曲线刻度方法,提出并验证了在无低能标准源时可采用157Gd冷中子瞬发γ源进行代替.实验中使用探测效率分段对数拟合及整体对数多项式拟合,对两种拟合方式进行对比,并使用152Eu缓发源和157Gd、35Cl冷中子瞬发γ源能量相交区域进行拟合和误差计算.实验结果表示:整体拟合的计算相对简单,但分段拟合获得数据更为准确,相关性更好.无低能标准源可用时,使用157Gd (n,γ)源效果更佳.

关键词：宽能区效率刻度、瞬发γ中子活化分析、电制冷高纯锗探测器

所属期刊栏目：42

分类号：TL99

资助基金：国家自然科学基金11475266;CARR基地工程建设项目No.17ZYGC201401资助 Supported by National Natural Science Foundation of China11475266;CARR Reactor Base Project Construction Project17ZYGC201401

在线出版日期：2019-09-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

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