发射极尺寸对双多晶自对准双极晶体管剂量率效应的影响

摘要：

为了研究发射极尺寸对双多晶自对准NPN型双极晶体管电离辐射剂量率效应的影响,对不同发射极尺寸双多晶自对准NPN双极晶体管在高低剂量率辐照条件下进行了辐照实验,在实验数据基础上对其损伤特性以及损伤机理进行的分析表明,高低剂量率辐照下双多晶自对准工艺制备的NPN型双极晶体管都具有良好的抗电离辐照损伤能力,且低剂量率辐照损伤均大于高剂量率.同时,实验及理论分析结果都表明:双多晶自对准双极晶体管的抗辐照能力与发射极的周长面积比密切相关,发射极周长面积比越小,晶体管抗辐照能力越强,且在发射极宽度一定时,发射极条越长抗辐照能力越强.

关键词：双多晶自动准、NPN晶体管、发射极尺寸、剂量率效应

所属期刊栏目：41

分类号：TL82;O571.33(粒子探测技术、辐射探测技术与核仪器仪表)

资助基金：模拟集成电路国家重点实验室基金0C09YJTJ1503;国家自然科学基金U1630141

在线出版日期：2019-01-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：44-48