基于单/双层壁电离室的强钴源低能γ成分评估方法

摘要：

利用重金属工艺可提高器件可靠性,低能γ将使器件高Z/低Z界面附近产生剂量增强效应,影响器件抗辐射性能评估.介绍了一种强钴源低能散射γ成分评价方法,利用铝单层室壁/金铝双层室壁平板型电离室辐射电流比值对γ能量敏感的特性,通过比较电流比值实测与参考值的差异,估计散射γ(≤300keV)成分是否过多,典型钴源能谱计算结果表明:参考值可取为2.8.研制了量程为0.01～2.3 Gy·s?1(Si)的电离室探头,搭建了长距离辐射电流测量系统.单板钴源实验结果表明:空场条件和铅铝容器(散射抑制)内辐射电流比值实测结果与预期相符,方法可行;能够检验能谱硬化技术的有效性;可从剂量角度关联不同辐射场或相同辐射场不同辐照工位.

关键词：剂量增强效应、强钴源辐射场、低能散射γ、评估方法、平板电离室

所属期刊栏目：41

分类号：TL929;TB114.1

在线出版日期：2018-08-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：13-20