不同描述的中子源模型对CFETR中子学计算的影响

摘要：

在托卡马克实验装置中,D-T聚变反应释放出的14 MeV高能中子,与周围部件接触会引起包层材料活化、热负载过高等一系列问题,因此在包层设计和优化过程中,相关的中子学计算显得尤为重要.为了研究不同描述的中子源模型对中国聚变工程实验堆(China Fusion Engineering Test Reactor,CFETR)中子学计算的影响,使用基于蒙特卡罗方法的MCNP(Monte Carlo N Particle Transport Code)程序来模拟中子输运过程,分别计算点源、均匀体源、基于L、H、A模约束的中子源模型对不同中子学计算的影响.结果表明,不同描述的中子源模型对氚增殖比影响较小,对中子壁负载和功率密度分布影响比较明显.

关键词：蒙特卡罗、中子源、氚增殖比、中子壁负载、功率密度

所属期刊栏目：40

分类号：TL61+3(受控热核反应（聚变反应理论及实验装置）)

资助基金：国家磁约束核聚变能研究发展专项No.2013GB113002资助 Supported by National Magnetic Confinement Fusion Energy Development Research Project 2013GB113002

在线出版日期：2017-04-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：81-86