GaN基LED高能电子束流辐照效应研究

摘要：

使用高能电子辐照对GaN基蓝光发光二极管(Light Emitting Diode, LED)光电学性能的影响进行研究。高能电子束流分别对不同组别的 LED 样品进行辐照实验，并通过自动测控系统对辐照过程中 LED 的电流、光强、光谱峰值波长进行全程测控。随后，在室温无辐照环境下对上述不同组别的LED样品进行跟踪对比测试研究。实验结果表明，高能辐照对LED的改性有明显效果，具体表现在工作电流和发光功率变化时受辐照影响的稳定性有所改善，光谱峰值波长出现蓝移。同时，GaN基LED在辐照过程中是否通电对LED的光电学性能有显著影响。

关键词：高能电子辐照、GaN、发光二极管、光电学性能

所属期刊栏目：39

分类号：TN312.8(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金No.11175198、No.11475209、No.11611130020、No.11305190、No.11204211资助 Supported by National Natural Science Foundation of China 11175198, 11475209, 11611130020, 11305190, 11204211

在线出版日期：2017-01-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

页码：120503-1-120503-5