双吡咯烷酮为核的联噻吩衍生物SMDPPEH薄膜热退火过程中微结构变化的实时表征

摘要：

用旋涂法制备了双吡咯烷酮为核的联噻吩衍生物(Diketopyrrolopyrrole-containing Oligothiophene, SMDPPEH)薄膜,并采用紫外-吸收光谱和掠入射X射线衍射方法研究了热退火过程中的微结构变化.原位热退火的紫外-吸收光谱结果表明,100 °C及以上时,第二个和第三个最大吸收峰发生蓝移.掠入射X射线衍射结果表明SMDPPEH薄膜在100 °C左右退火时有相变产生,并且随退火温度升高,薄膜的结晶度在增大.相应处理后的SMDPPEH薄膜的紫外-吸收光谱和掠入射X射线衍射证明了SMDPPEH薄膜这个相变保留到了降温后的薄膜中.

关键词：SMDPPEH薄膜、相转变、热退火

所属期刊栏目：39

分类号：TL99;O649.1;O694.5

资助基金：国家自然科学基金项目No.U1332116资助 Supported by the National Natural Science Foundation of ChinaU1332116

在线出版日期：2016-04-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：7-12