GaN与Si器件作为辐伏电池换能单元性能比较

摘要：

利用63Ni和3H源等分别辐照两种可作为辐伏电池换能单元的GaN基和Si基PiN结型器件,比较了他们的输出电性能结果,以及两种器件的温度、辐照性能等.结果表明,GaN器件开路电压Voc比Si基器件有非常明显的提高,而短路电流Isc有较大下降;GaN基结型器件在高温和高能辐照条件下的性能比Si基结型器件有较大优势.

关键词：辐伏同位素电池、GaN器件、Si器件、电输出性能

所属期刊栏目：38

分类号：TL82(粒子探测技术、辐射探测技术与核仪器仪表)

在线出版日期：2015-06-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：22-26