中子残余应力谱仪静态屏蔽体表面辐射剂量率初算

摘要：

中子残余应力谱仪静态屏蔽体主要用于对谱仪装置的附加闸门、中子导管等组件的辐射剂量的屏蔽,使装置操作人员可以安全地在装置周围活动.通过MCNP5程序对谱仪装置静态屏蔽体的屏蔽能力进行了计算,可为该方案的改进、优化提供依据,以便最终制造出满足辐射剂量要求的屏蔽体.

关键词：中子、残余应力谱仪、静态屏蔽体、MCNP5

所属期刊栏目：35

分类号：O571.56(原子核物理学、高能物理学)

资助基金：中国工程物理研究院科学技术发展基金项目2010A0103002

在线出版日期：2015-06-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：531-534