12位BiCMOS模数转换器的剂量率效应

摘要：

对商用BiCMOS模数转换器(ADC)AD678进行不同剂量率下电离辐射效应及室温退火特性的研究.结果表明,ADC的敏感参数在不同剂量率下的响应有差异;模拟电源电流和数字电源电流的辐照响应差别较大,微分非线性误差(DNL)、积分非线性误差(INL)和失码(Misscode)在低剂量率下电离损伤更严重,表现出明显的低剂量率损伤增强效应(Enhanced-Low-Dose-Rate-Sensitivity,ELDRS).结合工艺条件和空间电荷模型对ADC的损伤机理进行了讨论.

关键词：BiCMOS、模数转换器、剂量率、60Co γ辐照

所属期刊栏目：34

分类号：TN431;TN792(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2015-06-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：669-674