基于Geant4模拟质子在半导体Si材料中的NIEL值

摘要：

利用蒙特卡洛软件GEANT4模拟了质子对半导体Si材料的位移损伤效应的能量损失.根据反冲原子的能量,引入反冲原子能量Lindbard-Robinson-Akkerman分离函数,模拟结果表明10MeV-1 GeV能量范围内的质子位移能量损失值和Jun、Summers等结果吻合较好.

关键词：GEANT4、蒙特卡罗、反冲原子、位移能量损失

所属期刊栏目：34

分类号：TL814(粒子探测技术、辐射探测技术与核仪器仪表)

在线出版日期：2015-06-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：529-531