用掠入射XAFS方法研究Ti/Ni/Ti纳米薄膜的界面结构
在上海光源BL14W1线站建立了掠入射XAFS(GI-XAFS)方法,利用GI-XAFS方法并结合X射线反射(XRR)研究了直流磁控溅射方法生长在W/Si基底上的Ti/Ni/Ti纳米薄膜的界面结构随Ni层厚度的变化.结果表明,随着薄膜厚度的增加,Ni/Ti界面层间的相互扩散有所增加,Ni层厚度为5 nm时,Ni/Ti界面层间的扩散厚度为2 nm左右;Ni层厚度为1 nm时,由于无序度较大,Ni-Ni配位和Ni-Ti配位的键长有所收缩;随着薄膜Ni层厚度的减小,无序度逐渐增加,Ni-Ti配位增加,Ni-Ni配位减少.
掠入射、X射线吸收精细结构(XAFS)、Ti/Ni/Ti薄膜、X射线反射(XRR)
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O434.19(光学)
中国科学院知识创新项目KJCX2-YW-N43;上海市科委重点基金09JC1417100;中科院一上海应用物理所领域前沿项目54095501A;国家自然科学基金青年基金10705046
2015-06-17(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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