D-T快中子照相准直屏蔽体设计及中子束特性的模拟研究

摘要：

设计一个用于氘氚(D-T)快中子照相的准直屏蔽体系统,对D-T中子发生器快中子在准直屏蔽体材料中输运的MCNP模拟研究,给出准直中子束的中子能谱、注量率及均匀性、γ射线能谱和γ射线注量率等重要参数.模拟结果显示,用D-T中子发生器中子源和合理的准直屏蔽体系统可得到快中子照相所需的准直快中子束.

关键词：D-T中子发生器、快中子照相、准直屏蔽体、中子能谱、中子注量率

所属期刊栏目：34

分类号：R144.1(放射卫生)

在线出版日期：2015-06-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：273-277