不同偏置条件下基区掺杂浓度对NPN双极晶体管电离辐照的影响

摘要：

对相同工艺制作但基区掺杂浓度不同的国产NPN双极晶体管,在不同偏置条件下进行60Co-γ辐照效应和退火特性研究.结果显示:基区掺杂浓度不同,NPN双极晶体管辐照响应也不相同,低基区掺杂浓度的晶体管辐照损伤要明显大于高基区掺杂浓度的晶体管辐照损伤;偏置条件不同,晶体管辐照响应也有很大差别,反向偏置辐照NPN晶体管参数退化较正向偏置严重.并对对实验现象的相关机理进行了分析.

关键词：NPN双极晶体管、60Co-γ辐照、基区掺杂浓度、辐照偏置

所属期刊栏目：34

分类号：TN322+.8(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金项目10975182

在线出版日期：2015-06-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：205-208