分子动力学模拟入射角度对F离子与β-SiC表面相互作用的影响

摘要：

本文采用分子动力学方法模拟了不同入射角度对F离子与SiC表面相互作用的影响,模拟选择的入射能量为10 eV,入射角度分别为15°、30°、45°、60°和75°.模拟结果显示,F离子的沉积率随入射角度的增加而减小.当入射角度为45°时,Si原子和C原子的刻蚀率最大,且Si原子的刻蚀率大于C原子.在相互作用过程中,SiC表面形成-层Si-C-F反应层,反应层厚度随入射角度增加而减小,并且其主要成分是SiF和CF.

关键词：分子动力学、入射角度、刻蚀、Si-C-F反应层

所属期刊栏目：34

分类号：TB7;TN1(真空技术)

资助基金：国际热核聚变实验堆ITER计划专项2009GB104006;贵州省优秀青年科技人才培养计划700968101

在线出版日期：2015-06-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：51-55