样品温度对SiF3+与SiC表面相互作用影响的分子动力学研究
用分子动力学模拟方法研究样品温度对入射能量150 eV、45°入射的SiF3+与SiC表面的相互作用过程的影响.模拟中使用Graves等开发的用于Si-F-C体系的Tersoff-Brenner势能函数.模拟结果显示,所有温度下入射SiF3+与SiC表面相互作用后全部发生分解,绝大多数分解产物沉积于SiC表面.随Si和F在表面的沉积,SiC表面形成SixFyCz反应层.在温度300、500、700、900 K时,SiC中Si的刻蚀率分别为0.061、0.080、0.085、0.104,C的刻蚀率分别为0.019、0.030、0.034、0.039.SiC中Si比C更易被刻蚀,这和实验结果一致.主要含Si刻蚀产物为SiF2,含C刻蚀产物为SixFyCz.主要的刻蚀机制为化学增强的物理溅射.
分子动力学、SiF3+刻蚀SiC、分子动力学模拟、SiC、MEMS
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TN304.1+2(半导体技术)
2015-06-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共6页
945-950
