浮栅ROM器件的脉冲与稳态总剂量效应研究

摘要：

目前国内存储器辐照效应研究多数集中于功能测试,对具体参数研究较少.本文提出了浮栅型存储器阐值电压的测试方法,并引入紫外预辐照方法,对几种不同集成度的浮栅型存储器EPROM,开展了脉冲与稳态总剂量效应对器件阈值电压影响的异同性研究,分析了损伤机理.研究结果表明,不同于MOS和CMOS器件,脉冲辐照引起的浮栅ROM器件阈值电压漂移大于稳态辐照,为系统器件选型提供了重要参考.

关键词：EPROM、阈值电压、脉冲总剂量

所属期刊栏目：33

分类号：TN386.1(半导体技术)

在线出版日期：2015-06-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：783-787