工艺参数对SOI NMOS总剂量效应的影响

摘要：

本文模拟了0.25 μm SOI NMOS的总剂量效应,Ⅰ-Ⅴ特性曲线随总剂量变化趋势与实测曲线一致.在此基础上探讨了器件在不同掺杂浓度、硅膜厚度、埋氧层厚度以及栅氧层厚度等工艺条件下的总剂量效应,分析了一定剂量条件下各项工艺引起器件性能变化的原因.结果表明,源漏高掺杂、薄硅膜、适当厚度的埋氧层和较薄的栅氧层均有利于提高SOI NMOS的抗总剂量效应的能力.这为器件提高抗总剂量效应设计和加固提供了一定的理论依据.

关键词：总剂量效应、SOI NMOS、数值模拟

所属期刊栏目：33

分类号：TN386.1(半导体技术)

在线出版日期：2015-06-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：779-782