D-T中子源快中子照相准直屏蔽系统设计
减少散射中子对成像质量的影响是快中子照相的关键技术之一.本文采用MCNP程序完成了D-T中子源快中子照相准直屏蔽系统的设计,该设计具有很好的中子散射屏蔽效果,能够将实验室墙壁的散射中子数量降低一个量级,大大减少了成像的对比度失真;同时,能够增加约20%的中子源强,提高了成像速度.
快中予照相、散射中子、D-T中子源、准直屏蔽系统
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TL99
中国工程物理研究院科学技术发展基金2008B0103002
2015-06-17(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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