不同偏置对NPN双极晶体管的低剂量率电离辐照损伤的影响

摘要：

对NPN双极晶体管进行了低剂剂率下不同偏置条件的电离辐射实验.结果表明,不同偏置条件下的低剂量率辐射损伤具有明显差异.基一射结反向偏置时,其过剩基极电流最大,电流增益衰减最为显著.而基射结正向偏置时,过剩基极电流和电流增益衰减郜最小.讨论了出现这种结果的内在机制.

关键词：NPN双极晶体管、低剂量率、偏置、60Coγ辐照

所属期刊栏目：33

分类号：TN322+.8(半导体技术)

在线出版日期：2010-06-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：274-277