D-T中子源的反冲质子望远镜模拟研究

摘要：

为了设计用于监测D-T中子产额的反冲质子望远镜系统,采用MCNP程序模拟了14 MeV中子在不同厚度的聚乙烯膜上产生的反冲质子的产额、能谱及角分布,通过对反冲质子的产额、能谱和角分布数据的分析,给出了用于D-T中子产额监测的反冲质子望远镜系统的聚乙烯膜最佳厚度和探测器放置位置.建立了D-T中子源模型,模拟设计了反冲质子望远镜系统,并给出了系统的探测效率.

关键词：D-T中子发生器、聚乙烯膜、反冲质子望远镜、MCNP

所属期刊栏目：33

分类号：R144.1(放射卫生)

资助基金："985工程"项目资助

在线出版日期：2010-03-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：20-24