C注入GaN光致发光和微区拉曼散射的研究

摘要：

使用光致发光谱和微区拉曼散射谱的测量,研究了C离子注入原生无黄光发射的GaN.C离子的注入剂量范围为10~(13)-10~(17) cm~(-2).发光谱的研究表明,C注入的GaN经950℃高温退火后出现了黄光发射,而近带边发射峰的峰位则由于C注入产生的某种缺陷而发生了蓝移.拉曼谱的测量表明,GaN薄膜的应力不随C注入而改变.当注入剂量增加至10~(15) Cm~(-2)时,出现了与无序激活拉曼散射相关的300 cm~(-1)峰,但随着注入剂量进一步增加,300 cm~(-1)峰减弱并未消失,这被归因于注入束流强度随注入剂量增大.

关键词：GaN、离子注入、光致发光谱、微区拉曼散射谱

所属期刊栏目：33

分类号：O427~+.3(声学)

资助基金：国家自然科学基金10605011

在线出版日期：2010-03-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：15-19