强流D-T中子发生器n-γ辐射场的MC模拟研究

摘要：

根据D-T中子源260 keV氘束流能量下的中子能谱和角分布数据,建立了D-T中子源模型,在中子发生器各元件材料及实验大厅墙壁对快中子的慢化、散射和吸收的条件下,采用MCNP模拟程序对强流中子发生器n-γ辐射场进行了模拟研究,得到了中子能谱、中子和γ角分布、n-γ比等重要参数.模拟结果与有关文献实验数据的基本吻合,验证了所建立的MCNP模拟模型的可靠合理.

关键词：D-T中子发生器、MCNP程序、n-γ场、中子能谱、角分布、n-γ比

所属期刊栏目：32

分类号：O571.53(原子核物理学、高能物理学)

在线出版日期：2009-12-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：742-746