强流脉冲电子束轰击对单晶Si表面形貌的影响

摘要：

用强流脉冲电子束技术对两种取向的单晶Si片进行了表面轰击,对电子束诱发的表面形貌进行了分析.实验结果表明,当能量密度～3 J/cm2时,轰击表面开始形成大量的熔坑.能量密度～4 J/cm2时,表面开始出现微裂纹,微裂纹的形态与单晶Si的晶体取向密切相关;强流脉冲电子束轰击能够诱发表层强烈的塑性变形,[111]取向单晶Si表面出现剪切带结构,而[001]取向单晶Si表面变形结构则以微条带为主;此外,变形区域内还出现大量<100 nm的微孔洞形貌,这些微孔洞的形成为制备表面多孔材料提供了可能.

关键词：强流脉冲电子柬、单晶硅、剪切带、微孔洞、熔坑

所属期刊栏目：32

分类号：O1483(数理逻辑、数学基础)

资助基金：国家自然科学基金50671042;江苏大学科研创新团队及高级人才基金07JDG032

在线出版日期：2009-09-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：601-605