金刚石薄膜为掩膜离子束室温溅射可控制备硅纳米圆锥阵列

摘要：

以金刚石薄膜为掩膜,采用低能Ar+室温倾角溅射的方法制备密度和形貌可控的硅纳米圆锥阵列.扫描电子显微镜(SEM)结果表明,离子束溅射后得到的硅纳米圆锥密度与作为掩膜的金刚石薄膜颗粒密度相当;硅纳米圆锥的形貌与离子束入射角有密切关系,随着入射倾角由30°增大到75°;得到的硅纳米圆锥的锥角由73°减小到23°,其长径比从500 am/360 nm增大到2400nm/600nm.由于金刚石比硅材料的溅射速率更低,因此以金刚石薄膜为掩膜可以制备较大长径比的硅纳米圆锥阵列;随着入射角的增大,离子束溅射诱导的表面原子有效扩散系数减小和溅射速率增大是硅纳米圆锥的锥角减小、长径比增大的主要原因.

关键词：硅纳米圆锥、离子束溅射、金刚石薄膜

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分类号：TQ127.2

资助基金：国家自然科学基金10375085,10775171;中国科学院知识创新工程Grant KJCX3.SYW.N10

在线出版日期：2009-06-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：361-365