10.3321/j.issn:0253-3219.2008.11.002
MEVVA离子注入技术制备DLC:Ni多层厚膜
采用金属蒸汽真空弧(Metal Vapor Vacuum Arc,MBVVA)离子源注入技术,将Ni离子注入到类金刚石(Diamond-like Carbon,DLC)膜中,并重复沉积和注入过程,制备出2个层数分别为10层和15层、厚度达1.0μm和1.5μm、注入剂量不同的DLC:Ni膜样品.性能测试结果显示,膜内应力得到有效释放,膜基结合紧密,仍保持较高sp3含量以及较高硬度和弹性模量,是一种制备DLC厚膜的有效方法.
MEVVA源、类金刚石膜、多层膜、厚膜
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TB43(工业通用技术与设备)
遵义市科技局、遵义师范学院科技研发基金0009
2009-01-13(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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