MEVVA离子注入技术制备DLC:Ni多层厚膜
万方数据知识服务平台
应用市场
我的应用
会员HOT
万方期刊
×

点击收藏,不怕下次找不到~

@万方数据
会员HOT

期刊专题

10.3321/j.issn:0253-3219.2008.11.002

MEVVA离子注入技术制备DLC:Ni多层厚膜

引用
采用金属蒸汽真空弧(Metal Vapor Vacuum Arc,MBVVA)离子源注入技术,将Ni离子注入到类金刚石(Diamond-like Carbon,DLC)膜中,并重复沉积和注入过程,制备出2个层数分别为10层和15层、厚度达1.0μm和1.5μm、注入剂量不同的DLC:Ni膜样品.性能测试结果显示,膜内应力得到有效释放,膜基结合紧密,仍保持较高sp3含量以及较高硬度和弹性模量,是一种制备DLC厚膜的有效方法.

MEVVA源、类金刚石膜、多层膜、厚膜

31

TB43(工业通用技术与设备)

遵义市科技局、遵义师范学院科技研发基金0009

2009-01-13(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

806-810

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

核技术

0253-3219

31-1342/TL

31

2008,31(11)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn