国产VDMOS电离辐射环境中的敏感参数研究

摘要：

分析了国产VDMOS(Vertical Double-diffusion MOSFET)总剂量试验数据,并比较了辐照环境中不同偏置下电学参数的变化差异,发现新工艺研制的VDMOS器件辐照敏感参数为击穿电压和阈值电压.根据试验结果得到考核VDMOS辐照可靠性的有效试验方法:击穿电压抗辐照考核时应采用漏偏置,阈值电压抗辐照考核时应采用栅偏置.

关键词：VDMOS、总剂量、电离辐照、功率MOSFET

所属期刊栏目：31

分类号：TN42(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2008-09-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：613-615