加速器热中子照相装置CCD芯片屏蔽的模拟计算

摘要：

建立了研究加速器中子源热中子照相装置CCD芯片屏蔽效果的蒙特卡罗模拟方法,对γ与中子吸收剂量率的模拟计算结果与实验相符.进行了基于9Be(d,n)反应的热中子照相装置屏蔽系统的优化设计,在复杂几何条件下用蒙特卡罗模拟分别计算了CCD芯片在中子、γ混合场中的吸收剂量率和快中子注量率,对CCD相机在辐射场中安全性能进行了评估.

关键词：加速器中子源、CCD芯片、屏蔽、模拟计算、吸收剂量率

所属期刊栏目：31

分类号：O571(原子核物理学、高能物理学)

资助基金：国家自然科学基金10575006

在线出版日期：2008-09-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：583-586