10.3321/j.issn:0253-3219.2007.08.010
氮元素对高k铪基介电薄膜总剂量抗辐射性能的影响研究
本文采用MIS电容结构,结合10keV X射线辐照试验,研究了HfON和HfO2介电薄膜的总剂量抗辐射性能.研究结果表明,在0-30 kGy(Si)的辐照总剂量下,以HfON薄膜为绝缘层的MIS结构的平带电压漂移均远低于HfO2 MIS电容结构.从微观角度探讨了氮元素对改进高k铪基介电薄膜总剂量抗辐射性能的作用机理.
高kHfON介电薄膜、总剂量辐射、陷阱电荷
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TN386;TN304.055(半导体技术)
国家自然科学基金50402026
2007-10-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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