JFET输入运算放大器的增强辐射损伤方法研究

摘要：

本文对结型场效应管JFET输入运算放大器的增强辐射损伤方法进行了研究.结果表明,采用循环辐照一退火的方法可以使JFET输入运算放大器的辐射损伤增强,并且通过调整辐照剂量率、退火温度及时间等参数,可以评测出器件的低剂量率辐射损伤情况.文章还对这种辐射损伤方法的机理进行了分析.

关键词：运算放大器、结型场效应管、辐射损伤、低剂量率、加速评估

所属期刊栏目：29

分类号：TN7(基本电子电路)

在线出版日期：2006-09-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：627-630