硫化法制备FeS2薄膜晶体结构和表面特性的研究

摘要：

采用磁控溅射方法在Si(100)衬底上淀积纯铁薄膜,在不同温度下(200-400℃)硫化10 h得到FeS2薄膜,并对其进行晶体结构和表面成分分析.X射线光电子能谱(XPS)研究表明:低温硫化时易生成硫单质相,随温度的升高,S单质相部分参加反应变为FeS2相,FeS2的S2p峰出现在低能位置,而遗留的单质S的S2p束缚能位置不变.卢瑟福背散射(RBS)测得400℃时薄膜中元素Fe/S接近FeS2的理想化学计量比.

关键词：磁控溅射、热硫化、二硫化铁、X射线光电子能谱

所属期刊栏目：27

分类号：O484(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金10275076

在线出版日期：2005-01-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：939-942